K4A4G165WG-BCWE vs MT41K64M16TW-107 AUT:J 比較

詳細な並列比較: K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および MT41K64M16TW-107 AUT:J メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G165WG-BCWE MT41K64M16TW-107 AUT:J
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $16.90 $2.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) SDRAM - DDR3L
メモリサイズ 4 Gbit 1 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
インターフェース Parallel Parallel
データレート 3200 Mbps 1866 MT/s (DDR3L-1866)
Access Time 19 ns 20 ns
電源電圧 1.2 V 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ FBGA-96 96-FBGA (8 x 14 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 933 MHz
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] [DATA_NEEDED: refresh rate]
メモリ構成 — 64M x 16
Temperature Grade — AUT (automotive)
Termination — On-Die Termination (ODT)
Packaging — Tray (T/R per listing)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼